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增加封装的导电密度


宽带隙(WBG)半导体技术为电力包创造了新的挑战和机会。与硅MOSFET相比,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)(GaN)具有更高的优异(FOM)的发展,并且已经延长了电力电子设备的效率,输出功率和/或开关频率范围和操作温度范围。较低的lo ...»阅读更多

48V应用驱动器电源IC包选项


制造过程和模具获得了大部分的关注,但包装在实现和限制性能,可制造性方面发挥了重要组件,特别是当涉及功率设备的可靠性时。鉴于广泛的底层半导体电源装置技术 - “基本”硅,宽带隙碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),功率水平......»阅读更多

移动性和5G推动动力设备新材料的采用


电动交通、可再生能源和其他技术创新,如物联网、5G、智能制造和机器人技术,都需要可靠性、效率和紧凑的动力系统,这推动了碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的采用,以支持更小的设备中的低电压。但是芯片设计师必须克服int的技术和经济挑战。»阅读更多

使用IC缩小自动碳足迹


减少温室气体排放的很大一部分负担被转嫁给了汽车芯片和系统制造商,他们的任务是让汽车使用更少的能源,实现零排放。这些努力对应对气候变化至关重要。根据美国环境保护署(U.S. Environmental Protection Agency)的数据,交通运输行业占2018年温室气体排放的28.2%。»阅读更多

5G电源大战开始了


对于5G基站的功率放大器芯片和其他RF器件的需求正在增加,为不同公司和技术的摊牌设置阶段。功率放大器装置是一个键组件,可以在基站中提升RF功率信号。它基于两个竞争技术,基于硅的LDMOS或RF氮化镓(GaN)。GaN,III-V技术,优于......»阅读更多

中国加快了先进的芯片开发


中国正在加快努力推动其国内半导体产业,在持续与西方的贸易紧张局势中,希望变得更加自足。该国仍然落后于IC技术,无处可行而自力更生,但它正在取得明显进展。直到最近,中国的国产芯片制造商陷入了成熟的铸造工艺,没有Pres ...»阅读更多

提高GaN和SiC的可靠性


氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)电源器件的供应商正在推出下一波产品,一些新的和令人印象深刻的规格。但在这些设备被纳入系统之前,它们必须被证明是可靠的。与以前的产品一样,供应商很快就指出,新设备是可靠的,尽管有时会出现一些问题……»阅读更多

回顾周:自动、安全、普适计算


根据一份新闻稿,可编程逻辑公司Efinix使用Cadence的数字全流完成了Efinix的Trion FPGA系列,用于边缘计算、AI/ML和视觉处理应用。上周,Efinix还宣布了基于RISC-V核心的三种软件定义的soc。soc针对Trion fpga进行了优化。人工智能,机器学习,亚马逊将加快…»阅读更多

基于下一代模块化SIC电源模块的高性能300千瓦3相位SIC逆变器


WolfSpeed基于下一代电源模块介绍了新的高性能,低成本,紧凑的三相逆变器,专门优化以充分利用WolfSpeed第三代碳化硅(SIC)MOSFET。逆变器设计具有整体方法,仔细考虑模块规格,母线技术,直流连接电容以及高性能......»阅读更多

碳化硅的INS和输出


CTO John Palmour在Cree,坐落在半导体工程中讨论碳化硅,如何与硅beplay体育下载链接,与设计和包装的角度不同的东西,以及它正在使用的地方。以下是对话的摘录。SE:SIC在电力电子和RF中得到了良好的理解,但主要优势是运行设备比硅更热的能力,或......»阅读更多

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