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博客评论:2月24日


西门子EDA的Harry Foster检查了ASIC和IC设计验证的效率和有效性,看看有多少项目达到了最初的时间表,需要旋转的数量,以及功能缺陷的分类。Cadence公司的保罗·麦克莱伦在ST微电子公司的菲利普·马格沙克的现场收听该公司如何利用其晶片厂产生的大量数据……»阅读更多

打破2nm障碍


ChipMakers继续在最新的流程节点上与晶体管技术进行进步,但这些结构内的互连正在努力保持速度。芯片行业正在努力解决若干技术来解决互连瓶颈,但许多解决方案仍在研发中,可能不会出现一段时间 - 可能不是直到2nm,这是预期的......»阅读更多

新型晶体管结构在3nm/2nm


几家晶圆厂继续开发基于下一代全门晶体管的新工艺,包括更先进的高移动性版本,但将这些技术投入生产将是困难和昂贵的。英特尔(Intel)、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和其他公司正在为从今天的finFET晶体管过渡到新的门-全方位场效应晶体管奠定基础。»阅读更多

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芯片制造商正在将数量级的性能和能源效率建设到智能设备中,但要实现这些目标,它们也正在制作权衡,这将具有深远,持久的,在某些情况下未知的影响。大部分活动是将智能推出到边缘的直接结果,需要处理,排序和管理大规模增加的情况......bepaly体育app

三层cet结构,集成SRAM单元,用于2nm技术节点及以上


作为区域缩放的候选者,首次提出了一种新颖的三角形CFET结构。所提出的三角形CFET在逆变器上积极地堆叠通过逆变器以形成半SRAM位小区。已经精心设计了集成流量和全金属连接,用于功能和阵列组件。该过程中使用的大部分间距约为40nm,它是图案化......»阅读更多

博客评论:12月23日


Cadence的Paul McLellan将带您了解Arm是如何通过新的研发和对架构的充分利用而成为服务器和高端领域的巨头的。西门子EDA的Harry Foster通过检查不同的仿真和正式技术的采用,继续观察fpga的验证趋势。Synopsys的Taylor Armerding展望2021年…»阅读更多

基于虚拟制造的DRAM工艺窗口优化


用于3D存储和逻辑设备的新的集成和模式方案带来了制造和产量方面的挑战。工业焦点已经从2D结构的可预测单元流程的缩放转移到更有挑战性的复杂3D结构的完全集成。传统的2D布局DRC、离线晶圆测量和离线电测量已经不够了……»阅读更多

在高级节点中的变异威胁,包装增长


对于芯片制造商来说,当他们推进到下一个工艺节点或越来越密集的先进封装时,变化正成为一个更大、更复杂的问题,引发了对单个设备甚至整个系统的功能和可靠性的担忧。在过去,几乎所有关于变异的关注都集中在制造过程上。打印在硅片上的东西不会…»阅读更多

3D NAND的垂直缩放比赛


在日益激烈的竞争中,3D NAND供应商正加速努力向下一个技术节点转移,但所有这些供应商都面临着各种各样的新业务、制造和成本挑战。两家供应商美光科技(Micron)和SK海力士(SK Hynix)最近在3D NAND领域超越了竞争对手,在规模竞争中处于领先地位。但是三星和kixia - western Digital(…»阅读更多

200毫米的需求激增


对各种芯片的需求激增导致选择200mm铸造能力以及200mm Fab设备的短缺,并且它没有显示2021年的减少迹象。铸造顾客将在上半年至少在选择的山末面临近200毫米的能力。2021年,也许超越。这些客户需要计划,以确保他们在2021年获得足够的200毫米容量。OT ......»阅读更多

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