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48V应用驱动器电源IC包选项


制造过程和模具获得了大部分的关注,但包装在实现和限制性能,可制造性方面发挥了重要组件,特别是当涉及功率设备的可靠性时。鉴于广泛的底层半导体电源装置技术 - “基本”硅,宽带隙碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),功率水平......“ 阅读更多

移动性和5G驱动器采用新材料的电力设备


电动移动性,可再生能源和其他技术创新,如IOT,5G,智能制造和机器人,都需要可靠性,效率和紧凑的电力系统,加以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的采用以支持较低电压在明显较小的设备中。但筹码设计师必须克服INT的技术和经济挑战......“ 阅读更多

Power AMP Wars开始5G


对于5G基站的功率放大器芯片和其他RF器件的需求正在增加,为不同公司和技术的摊牌设置阶段。功率放大器装置是一个键组件,可以在基站中提升RF功率信号。它基于两个竞争技术,基于硅的LDMOS或RF氮化镓(GaN)。GaN,III-V技术,优于......“ 阅读更多

超越视线摩托地区通信底漆


虽然自20世纪50年代以来,对流层散射(Troposcatter或Tropo)通信技术已经存在,但美国军队于1960年至2002年使用,这一遗留技术在围绕战术卫星通信(SATCOM)的可靠性令人担忧的担忧之后,正在振兴。几十年来,卫星是一个可靠而安全的通信方法,提供了......“ 阅读更多

中国加快了先进的芯片开发


中国正在加快努力推动其国内半导体产业,在持续与西方的贸易紧张局势中,希望变得更加自足。该国仍然落后于IC技术,无处可行而自力更生,但它正在取得明显进展。直到最近,中国的国产芯片制造商陷入了成熟的铸造工艺,没有Pres ...“ 阅读更多

提高GaN和SiC的可靠性


氮化镓(GaN)和碳化硅(SIC)电力器件的供应商正在使用一些新的和令人印象深刻的规格来推出下一波产品。但在系统中包含这些设备之前,它们必须证明是可靠的。与以前的产品一样,供应商很快指出,新设备是可靠的,尽管有一些问题可能偶尔地表......“ 阅读更多

制造比特:6月16日


GaN电源模块镓 - 氮化物(GaN)器件在几个市场中出现,例如功率半导体和RF。GaN是一款二进制III-V化合物,是一个宽带隙技术,意味着它比基于硅的设备更快,更有效。GaN有10倍的击穿场强,具有比硅的双电迁移性双倍。一般来说,一些Gan供应商不使用Traditio ...“ 阅读更多

电源/性能位:4月14日


Linköping大学,Chalmers理工大学,华盛顿大学,千叶大学华盛顿大学,云南大学和云南大学开发了一种有机墨水,可用于良好的电导率。“我们通常会涂过我们的有机聚合物,以改善它们的电导率和器件性能。Proces ......“ 阅读更多

电源/性能位:1月7日


普渡大学铁电FET研究人员开发了一种能够加工和存储信息的铁电晶体管。铁电半导体场效应晶体管由α铟硒化型制成,其克服了不硅与硅相互界面的铁电材料的问题。“我们使用具有铁电性质的半导体。这样它的方式......“ 阅读更多

电源/性能位:12月23日


特拉华大学的高迁移晶体管工程师创建了一种高电子迁移率晶体管,一种装置,该装置放大和控制电流,使用氮化镓(GaN)用氧化铝 - 氮化铟作为硅衬底上的屏障。在其类型的设备中,该团队表示其晶体管具有记录设置属性,包括记录低栅极泄漏电流......“ 阅读更多

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