Imec的持续扩张计划


在12月的IEDM,开幕式(技术上“全体会议1”)是IMEC的SRI SAMEVADAM。他的演讲是“走向原子渠道和解构筹码”。他介绍了IMEC对未来的半导体未来,摩尔法(缩放)和更多(先进的包装和多个死亡)。听到IMEC以来,他们总是有趣的......»阅读更多

AI和高Na EUV在3/2 / 1nm


beplay体育下载链接半导体工程坐落下来讨论光刻和光掩模与布莱恩卡斯沃思,技术卫生主任以及光伦基技术人员的杰出成员;HJL光刻校长Harry Levinson;Noriaki Nakayamada,Nuflare的高级技术专家;和D2S的首席执行官Aki Fujimura。以下是那次谈话的摘录。vie ...»阅读更多

3nm及以下的EUV挑战和未知


芯片行业正在为3nm及以上的极紫外(EUV)光刻技术的下一阶段做准备,但挑战和未知因素仍在不断累积。在研发方面,供应商正在研究各种各样的新EUV技术,如扫描仪、电阻和面罩。这些将是必要的,以达到未来的过程节点,但他们更复杂和昂贵的比目前的EUV专业…»阅读更多

什么是ai,薯条和面具


D2S首席执行官藤村明(Aki Fujimura)与半导体工程公司(Semiconductor Engibeplay体育下载链接neering)就人工智能、摩尔定律(Moore’s Law)、光刻技术和掩模技术进行了会谈。以下是那次谈话的摘录。SE:在eBeam计划最近的Luminary Survey中,与会者对光掩膜市场的前景有一些有趣的观察。这些观察结果是什么?Fujimur……»阅读更多

调查:电子光束倡议的杰出人物(前知觉)调查结果


2020年7月在42家不同公司的77个行业夜火调查说,净中立Covid-19业务影响到2021年,持续24%阳性预测20%的负面预测。点击此处查看调查结果。»阅读更多

挑战为euv徘徊


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制造比特:11月9日


开源EUV抵抗计量Paul Scherrer Institute(PSI)开发了一种用于扫描电子显微镜(SEM)应用的开源软件技术。该技术针对EUV抗拒计量。该技术称为SMILE(SEM测量的图像线估计器)是一种开源软件技术,其在SEM中表征了线条和空间模式。微笑使用......»阅读更多

Si硬掩膜(Si- hm), EUV和零缺陷


用于光刻的多层系统包括在硬掩模蚀刻转移层下面的平面化碳层,并覆盖一层标准的光刻胶涂层。在过去,Brewer Science已经深入讨论了多层系统如何帮助扩展ArF (193 nm)浸没光刻能够打印和转移不断收缩的特性,确保足够的工艺窗口,特别是…»阅读更多

成熟节点的掩模/光刻问题


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EUV抗蚀剂厚度对<30nm CD图案局域临界尺寸均匀性的影响


本文描述了极端紫外线(EUV)抗蚀剂厚度在发育检验(ADI)后测量的局部临界尺寸均匀性(LCDU)和蚀刻检查(AEI)后测量的局部临界尺寸均匀性(LCDU)的影响。对于相同的后蚀刻CD靶标,将抗蚀剂厚度从40〜60nm的增加有助于降低CD变异性。通过使用COVENTOR1的虚拟制造来完成这项工作......»阅读更多

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