中文 英语

通过图案化对<30nm Cd的局部关键尺寸均匀性对局部关键尺寸均匀性的影响

EUV抗蚀剂厚度对通过LCDU在显影检查(ADI)后测量的<30nm的影响和蚀刻检查(AEI)。

人气

本文描述了极端紫外线(EUV)抗蚀剂厚度在发育检验(ADI)后测量的局部临界尺寸均匀性(LCDU)和蚀刻检查(AEI)后测量的局部临界尺寸均匀性(LCDU)的影响。对于相同的后蚀刻CD靶标,将抗蚀剂厚度从40〜60nm的增加有助于降低CD变异性。使用Coventor的Semulator3D软件通过虚拟制造进行此工作,并通过实验确认。通过考虑模型中的光刻剂量和焦点变化,引入了Litho和后蚀刻CD变化。使用3D抗蚀样材模拟从高素英和蚀刻后横截面扫描电子显微镜(XSEM)图像的3D抗蚀剂仿真校准光刻和蚀刻模型。

点击这里阅读更多。



发表评论


(注意:此名称将被公开显示)